Modulo HyperX DDR3L 8Gb 1866mHz SODIMM (HX318LS11IB/8)

HX318LS11IB/8

Nuevo

8 GB 1 x 8 GB DDR3L 1866 MHz 204-pin SO-DIMM

Más detalles

52.70 €

Ficha técnica

Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Latencia CAS11
Voltaje de memoria1.35 V
Placa de plomoOro
Configuración de módulos1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila44,7 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
Velocidad del reloj de bus1866 MHz
Indicación de errorNo
Disposición de memoria1 x 8192 MB
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
Componente paraPortátil
ECCNo
Ancho de datos64 bit
Ancho67,6 mm
Memoria interna8192 MB
Tipo de memoria internaDDR3L
Velocidad de memoria del reloj1866 MHz
Altura30 mm

Más información

La memoria HyperX® Impact refuerza la frecuencia de la SO-DIMM de 2666MHz más rápida del mundo para que te mantengas siempre por delante y superes los niveles en tu partida. Reconoce automáticamente la plataforma a la que está conectada y emplea el overclocking automáticamente para alcanzar la frecuencia más alta publicada1 (hasta 2400MHz2) sin ninguna necesidad de ajustar la configuración de la BIOS del sistema. De este modo, te beneficias de un rendimiento excepcional compatible con ordenadores portátiles y otros sistemas de pequeño formato que usen ya sea AMD ya sea las últimas tecnologías de la CPU de Intel sin ningún tipo de preocupación, incluso si eres principiante en este tema.
Peso y dimensiones
Ancho67,6 mm
Altura30 mm
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Otras características
Velocidad del reloj de bus1866 MHz
Indicación de errorNo
Disposición de memoria1 x 8192 MB
Memoria interna8192 MB
Características
Tipo de memoria internaDDR3L
Velocidad de memoria del reloj1866 MHz
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
ECCNo
Latencia CAS11
Ancho de datos64 bit
Voltaje de memoria1.35 V
Configuración de módulos1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila44,7 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
Placa de plomoOro
Peso y dimensiones
Ancho67,6 mm
Altura30 mm
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Otras características
Velocidad del reloj de bus1866 MHz
Indicación de errorNo
Disposición de memoria1 x 8192 MB
Memoria interna8192 MB
Características
Tipo de memoria internaDDR3L
Velocidad de memoria del reloj1866 MHz
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
ECCNo
Latencia CAS11
Ancho de datos64 bit
Voltaje de memoria1.35 V
Configuración de módulos1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila44,7 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
Placa de plomoOro

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